Existem dois métodos principais de conexão para cápsulas de microfone de eletreto:saída de origemesaída de drenagem.
1. Saída de origem
A saída da fonte é semelhante à saída do emissor em um circuito de transistor e requer três fios. O dreno (D) está conectado à fonte de alimentação positiva.
A fonte (S) é conectada ao terra através de um resistor (Rs) para fornecer a tensão da fonte. O sinal é emitido pela fonte através de um capacitor (C), e o fio blindado é aterrado para fins de blindagem.
A saída da fonte tem uma impedância de saída baixa, geralmente inferior a 2k ohms, tornando o circuito estável com uma ampla faixa dinâmica. No entanto, o sinal de saída é menor comparado à saída de dreno.
2. Saída de drenagem
A saída de dreno é semelhante à configuração de emissor comum em um circuito de transistor e requer apenas dois fios. O dreno (D) é conectado à fonte de alimentação positiva através de um resistor de dreno (RD), e o sinal é emitido pelo dreno através de um capacitor (C). A fonte (S) é aterrada juntamente com o fio blindado.
A saída de dreno fornece ganho de tensão, resultando em maior sensibilidade em comparação com a saída da fonte. No entanto, a faixa dinâmica do circuito é um pouco menor.
Escolhendo Valores do Resistor
Os valores de Rs e RD dependem da tensão da fonte de alimentação. Geralmente, são escolhidos valores de resistor entre 2,2kΩ e 5,1kΩ. Por exemplo, se a tensão da fonte de alimentação for 6V, Rs seria 4,7kΩ e RD seria 2,2kΩ.
Alternando entre saída de fonte e drenagem
Se a fonte de alimentação estiver aterrada no terminal positivo, as conexões do dreno (D) e da fonte (S) podem ser trocadas para alternar entre as configurações de saída da fonte e do dreno, mantendo o funcionamento correto.
Resumo
Tanto a saída de fonte quanto a saída de dreno são comumente usadas no estágio pré-amplificador de circuitos de controle para microfones de eletreto. Independentemente do método de saída, a cápsula do microfone de eletreto requer uma tensão CC para operar, pois contém um transistor de efeito de campo (FET) em seu interior.
